铜陵SCB10干式变压器技术的关注点

铜陵SCB10干式变压器技术的关注点

1998年，Infineon公司推出冷MOS管，它选用“超级结”(Super-Junction)布局，故又称超结功率MOSFET。任务电压600V～800V，通态电阻简直降低了一个数量级，仍坚持速度快的特色，是一种有开展前途的高频功率半导体器材。
　　
　　IGBT刚出现时，电压、电流额定值只要600V、25A。很长一段时间内，耐压水平限于1200V～1700V，颠末长时间的探究研讨和改善，如今IGBT的电压、电流额定值已别离到达3300V/1200A和4500V/1800A，高压IGBT单片耐压已到达6500V，普通IGBT的任务频率上限为20kHz～40kHz，根据穿通(PT)型布局使用新技能制作的IGBT，可任务于150kHz(硬)和300kHz(软)。
　　IGBT的技能开展实际上是通态压降，疾速和高耐压才能三者的折中。跟着工艺和布局方式的异样，IGBT在20年前史开展进程中，有以下几种类型：穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)型、沟漕型和电场截止(FS)型。

铜陵SCB10干式变压器技术的关注点
　　
　　碳化硅SiC是功率半导体器材晶片的抱负资料，其长处是：禁带宽、任务温度高(可达600℃)、热稳定http://baishan.xdbyq.cn/性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、PN结耐压高级，有利于制作出耐高温的高频半导体器材。
　　
　　可以预见，碳化硅将是21世纪最可能成功使用的新式功率半导体器材资料。

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